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        SEM原位解決方案每一個設計作品都舉世無雙

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        原位透射電子顯微鏡光學-光電測量系統應用案例

        日期:2017-12-20

               ZnO是一種重要的II-VI族半導體材料。它擁有高達60 meV的激子結合能,以及25 meV的熱激活能。ZnO納米線可以被用于制造導波管,納米激光器,光探測器,以及發光二極管。在這些光學應用中,激子與縱向光學聲子(LO)之間的耦合特性一直是研究者們討論的話題。這種耦合特性往往與晶格結構以及應力產生的缺陷有關。結合原位透射電子顯微鏡光學-光電測量系統(ZepTools Technology Co., Ltd.),研究者在TEM中原位測量施加了不同應力ZnO納米線的陰極發光譜(CL),揭示了該材料結構特性與這種耦合特性之間的聯系。相關研究成果發表在《APPLIED PHYSICS LETTERS》上。

        原位透射電子顯微鏡光學-光電測量系統應用案例(圖1)
         

        圖1:(a) 原位透射電子顯微鏡光學-光電測量系統應用原理圖;(b) 單根ZnO納米線的TEM圖像,電子束被聚焦在納米線的末端。(c) 圖解ZnO納米線的發光機制; (d) 典型的CL譜。

         
               ZnO納米線被安置于原位TEM光學-光電測量樣品桿上,一個2 mm直徑的光纖通過一個可以三維操縱的納米操縱探針引到樣品處。納米操縱探針不僅可以輔助找準測試位置,還可以用于選擇和操縱單根納米線。單色儀和CCD與光纖接口連接并用于接收信號。

        圖2:改變電子束聚焦在納米線上的位置,可以得到不同的CL譜。
         

        圖2:改變電子束聚焦在納米線上的位置,可以得到不同的CL譜。

         
         

        圖3:使用納米操縱探針給納米線施加不同的應力,可以觀測到CL譜峰位的偏移。
         

        圖3:使用納米操縱探針給納米線施加不同的應力,可以觀測到CL譜峰位的偏移。

        以上就是澤攸科技小編介紹的原位透射電子顯微鏡光學-光電測量系統應用案例,文中使用的原位樣品桿價格請咨詢18817557412(微信同號)

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        原位樣品桿 透射電鏡樣品桿 光電樣品桿 透射電鏡TEM桿

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